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AlN テンプレート(窒化アルミニウムテンプレート)

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AlNテンプレート
 

AlNテンプレート(例えば、単結晶基板上のAlNエピタキシャル薄膜)は、窒素化合物半導体材料における新しい波です。それは、高品質のV−X族窒素化合物半導体薄膜を成長させるための最も費用高価が高い解決策を提供します。以下のリストは、提供できるいくつかのサファイヤ基板上の標準的なAlNテンプレートです。

 
サイズ 基板 基板面方位 AlN層厚さ ドープ
2 サファイア c axis (0001) 1000 nm undoped
10×10mm サファイア c axis (0001) 1000 nm undoped,Semi-insulating
2 サファイア c axis (0001) 1000 nm undoped
2 サファイア c axis (0001) 5000 nm (¡À 10%) undoped,Semi-insulating
4 サファイア c-axis (00.1) 1000 nm (!A 10%) undoped,Semi-insulating
4 サファイア c-axis (00.1) 5000 nm (!A 10%) undoped,Semi-insulating
10×10mm Si [111] 200 nm -
2 Si [111] 200 nm -
4 Si [111] 200 nm -