NIRLEDテストシステム
MLEDTS-50NIR
NIRLEDテストシステム MLEDTS-50NIR
 
表面発光タイプおよび裏面発光タイプの近赤外LEDを対象に、I-V-L特性（電流－電圧－光出力）、発光スペクトル、ならびに裏面発光タイプの分光放射束（2π）をウェハレベルで測定する近赤外LEDテストシステムです。ウェハ上の発光デバイスの電極にプローブ針を接触させることで、電気的・光学的特性を高精度に評価できます。ウェハ状態での測定により、チップのダイシング前に特性評価が可能となり、開発期間の短縮と評価結果の迅速なフィードバックを実現します。

■仕様
サンプルステージ サンプルサイズ：10mm角～50mmφ
XY軸移動範囲：各±20mm
プラテン 昇降可
移動範囲：4mm
プローブ針（同軸針） 材質：タングステン
先端半径：12.5μm
数量：2本
マニピュレータ XYZ軸移動範囲：各10mm
トラベル量：各250μm回転
数量：2個
実体顕微鏡 倍率：7倍～45倍
照明：LEDリング照明
光検出部 InGaAs PINフォトダイオード（感度波長範囲：900nm～1700nm）
光ファイバプローブヘッド（波長範囲：800nm～2400nm）
光ファイバ（波長範囲：400nm～2400nm）
表面発光と裏面発光に対応可能です。
積分球 波長範囲：250nm～2000nm
裏面発光のみ対応可能です。
分光測定部 波長範囲：900nm～1700nm
光学分解能：13.03nm（理論値）
受光素子：温度制御512素子InGaAsリニアアレイ
校正光源 波長範囲：350nm～2400nm

■IVL測定データ
IVL測定データ

■分光放射束（2π）測定データ
分光放射束（2π）測定データ

※本仕様および外観は改善のため予告無く変更することがあります。