窒化物半導体用準位測定装置
MDLOS-350-1600
窒化物半導体用準位測定装置 MDLOS-350-1600
 
Deep-Level Optical Spectroscopy（DLOS）法は、半導体中の深準位欠陥を光励起により評価する分光法です。試料に単色光を照射しながら光子エネルギーを連続的に変化させ、空乏層容量（キャパシタンス）の変化を測定することにより、禁制帯内に存在する深準位欠陥のエネルギー準位および欠陥密度を評価することができます。
DLOS測定では、空乏層内の深準位欠陥に捕獲されている電子（または正孔）が、照射された単色光の光子エネルギーを吸収して伝導帯（または価電子帯）へ励起されると、空乏層内の空間電荷分布が変化します。その結果、空乏層幅が変化し、接合容量（キャパシタンス）の変化として検出されます。キャパシタンス変化の光子エネルギー依存性を解析することにより、深準位欠陥の光学イオン化エネルギーおよび欠陥密度を高感度に評価することが可能です。
本装置は、光学特性測定用マニュアルプローバーと単色光照射ユニットで構成されており、ウェハレベルで製作された半導体デバイスに対してDLOS測定を行うことができます。単色光を試料へ照射しながらキャパシタンスを高精度に測定することで、半導体中の深準位欠陥を非破壊で解析できます。
Si、SiC、GaNなどの各種半導体材料およびデバイスにおける結晶欠陥、不純物準位、プロセス起因欠陥の評価に適しており、半導体材料の研究開発、デバイス開発および品質・信頼性評価に有効な分析システムです。

■特長
・DLOS（Deep-Level Optical Spectroscopy）法による深準位欠陥の評価が可能です。
・単色光の光子エネルギーを掃引しながらキャパシタンスを高精度に測定します。
・深準位欠陥の光学イオン化エネルギーおよび欠陥密度を評価できます。
・ウェハレベルで製作された半導体デバイスの非破壊測定に対応しています。
・Si、SiC、GaNなど各種半導体材料およびデバイスの欠陥解析に適しています。

■仕様
単色光照射ユニット 波長範囲 350～1600nm
半値幅 5nm
光源 キセノンランプ　500W
試料ステージ部 試料サイズ 50.8mmΦ以下
測定面プレート材料 合成石英
試料台ストローク X軸：60mm（粗微動）
Y軸：60mm（粗微動）、110mm（スライド）
ハンドル1回転の移動量 X軸：20mm（粗動）、約2.6mm（微動）
Y軸：20mm（粗動）、約2.6mm（微動）
マニピュレータ部 プローブ針 タングステン針
ストローク X、Y、Z軸各10mm
移動量 X、Y、Z軸各500μm／回転
キャリア 着磁性プレート付
プローブマニピュレータ数量 2台
リングプレート材質 着磁性SUS
顕微鏡部 観察倍率 7X～115X
ズーム比 16.4
観察範囲 φ31.4～φ1.9mm
対物レンズ W.D. 60mm
対物レンズ N.A. 0.15
接眼レンズ 10×、視野数22
光学系 ガリレオ式平行
焦準方式 ラック＆ピニオン・コロガイド方式
照明 同軸落射LED照明
観察用カメラ 画素数 150万
撮像素子 CCDカラーイメージセンサ　1/2型
インターフェイス USB
出力画素数 1360(H)×1024(V)
有効撮像面積（mm） 6.47(H)×4.83(V)
画素サイズ（μm） 4.65(H)×4.65(V)
カラー配列 RGB
レンズマウント Cマウント
フレームレート 12fps
キャパシタ測定器 測定分解能 2fF以下（2pFレンジ）
測定最大値 2000pF以上
電子シャッター 開閉時間 20msec以下
※開閉時間は、Rise Time及びFall Timeのことです。露光パルス時間ではございません。
露光パルス時間 50msec以下
測定用コンピュータ OS Windows 7

※本仕様および外観は改善のため予告無く変更することがあります。